Исследование поляризованной фотолюминесценции толстых эпитаксиальных слоев GaN

Физика и техника полупроводников - 1999 - том 33 - вып. 7 - с. 778-780В статье исследовались поляризационные спектры фотолюминесценции нитрида галлия. Из анализа спектров следует, что неоднородное уширение линии излучения, имеющей значение полуширины больше 20 мэВ, может определяться дисперсией углов осей симметрии различных кристаллитов, образующих эпитаксиальный слой GaN, по отношению к поверхности слоя. Вариация угла падения и фокусировки возбуждающего лазерного пучка, а также угла регистрации фотолюминесценции позволяет использовать поляризационные измерения фотолюминесценции для прецизионной диагностики качества слоев GaN.