寄付 2024年9月15日 – 2024年10月1日 募金について

キーワード検索

  • Main
  • キーワード検索
3
Проектирование и технология электронной компонентной базы. Основы сапр synopsys tcad

Проектирование и технология электронной компонентной базы. Основы сапр synopsys tcad

Зыков Д. Д.
sentaurus
рис
моделирования
device
файл
tcad
выберите
окно
структуры
области
workbench
данных
напряжения
inspect
synopsys
параметров
расчета
файла
носителей
gaas
voltage
меню
модели
моделирование
транзистора
файлы
диалоговое
параметры
секция
сетки
затворе
значения
проект
щелкните
gate
устройства
окне
позволяет
модель
editor
poisson
пункт
следующим
файлов
вах
командный
область
секции
качестве
примере
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.09 MB
0 / 0
russian
4
Системы автоматизированного моделирования и проектирования технологических процессов и технологических маршрутов производства СВЧ МИС, оптимизация производства (основы САПР Synopsys TCAD)

Системы автоматизированного моделирования и проектирования технологических процессов и технологических маршрутов производства СВЧ МИС, оптимизация производства (основы САПР Synopsys TCAD)

Зыков Д.Д.
sentaurus
рис
моделирования
device
файл
tcad
выберите
области
окно
структуры
workbench
данных
напряжения
synopsys
inspect
параметров
расчета
файла
носителей
gaas
voltage
меню
модели
моделирование
транзистора
файлы
диалоговое
параметры
секция
сетки
затворе
значения
проект
щелкните
gate
технологических
устройства
окне
позволяет
модель
процессов
editor
poisson
пункт
следующим
файлов
вах
командный
область
секции
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.49 MB
0 / 0
russian
5
3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

Yung-Chun Wu, Yi-Ruei Jhan
年:
2018
言語:
english
ファイル:
PDF, 23.52 MB
0 / 0
english, 2018
9
Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур: учебное пособие для вузов

Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур: учебное пособие для вузов

Воронов Ю.А., Касков С.Ю., Мочалкина О.Р.
рис
sentaurus
параметров
моделирования
команда
моделирование
моп
мкм
модуля
примеси
области
сетки
структуры
транзистора
параметры
gate
voltage
файла
внедрения
областей
grid
refinebox
silicon
команды
модуль
проекта
drain
halo
sdedr:define
synopsys
технологии
define
данном
данных
окно
curvename
inspect
workbench
значения
прибора
список
структур
idvg
ионов
напряжения
распределение
технологических
файл
refinement
vtgm
年:
2012
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.64 MB
0 / 0
russian, 2012
10
Основы работы в среде приборно-технологической САПР SENTAURUS

Основы работы в среде приборно-технологической САПР SENTAURUS

Алексеев Роман Павлович, Бормонтов Евгений Николаевич, Быкадорова Галина Владимировна, Ткачёв Александр Юрьевич, Цоцорин Андрей Николаевич
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
сетки
структуры
sdedr:define
параметров
модуля
области
sprocess
файла
sentaurus
refinement
команда
командного
моделирования
определение
sde
меню
умолчанию
snmesh
задание
окно
параметры
sdevice
область
параметра
распределения
silicon
проекта
структура
pdbset
модели
параметр
уравнений
файл
drain
grid
областей
создание
материал
профиля
rectangle
модуль
примесей
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.66 MB
0 / 0
russian
11
Основы работы в среде приборно-технологической САПР SENTAURUS

Основы работы в среде приборно-технологической САПР SENTAURUS

Алексеев Роман Павлович, Бормонтов Евгений Николаевич, Быкадорова Галина Владимировна, Ткачёв Александр Юрьевич, Цоцорин Андрей Николаевич
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
сетки
структуры
sdedr:define
параметров
модуля
области
sprocess
файла
sentaurus
refinement
команда
командного
моделирования
определение
sde
меню
умолчанию
snmesh
задание
окно
параметры
sdevice
область
параметра
распределения
silicon
проекта
структура
pdbset
модели
параметр
уравнений
файл
drain
grid
областей
создание
материал
профиля
rectangle
модуль
примесей
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.67 MB
0 / 0
russian
12
Приборно-технологическое моделирование устройств микро- и наноэлектроники. Математические модели и программные средства: учебное пособие

Приборно-технологическое моделирование устройств микро- и наноэлектроники. Математические модели и программные средства: учебное пособие

А. А. Левицкий, П. С. Маринушкин, С. И. Трегубов, , Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Сибирский федеральный университет, [Институт инженерной физики и радиоэлектроники]
модели
рис
полупроводниковых
tcad
моделирования
заряда
модель
диффузии
моделирование
поля
примеси
структуры
процессов
носителей
приборов
уравнения
sentaurus
приборно
электрического
электронов
полупроводниковой
системы
технологического
структур
тока
окисла
диффузионно
уравнений
synopsys
технологических
уравнение
microtec
sio2
концентрации
моделей
примесей
процесса
распределения
silvaco
окисления
устройств
devsim
основные
коэффициент
основе
поле
скорости
среде
ток
semiconductor
年:
2020
言語:
russian
ファイル:
PDF, 7.72 MB
0 / 0
russian, 2020
14
Проектирование и технология электронной компонентной базы

Проектирование и технология электронной компонентной базы

Зыков Д. Д.
рисунок
моделирование
электронной
sentaurus
задать
компонентной
приборов
базы
резистора
gate
выбрать
области
проектирование
контакт
легирования
двухмерное
задание
контакта
секции
технология
устройств
drain
placement
voltage
область
проектирования
contacts
workbench
компонентов
моделирования
проект
проекта
сапр
структуры
схем
электроника
poisson
изучение
канала
основе
правой
самостоятельной
современных
создать
технологических
device
electrode
swb
tecplot
баллов
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.82 MB
0 / 0
russian